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增列禁止向朝鲜出口的两用物项和技巧清单
时间:2018-04-16 23:1931 来源:西安代理记账

为履行结合国安理会第2375号决定,根据《中华人平易近共和国对外贸易法》第十六条和第十八条规定,禁止向朝鲜出口本告诉布告所公布的与大年夜范围杀伤性兵器及其运载对象相干的两用物项和技巧、惯例兵器两用品。本告诉布告自公布之日起履行。

商务部

工业和信息化部

国度原子能机构

海关总署

国防科工局

2018年4月8日

增列禁止向朝鲜出口的两用物项和技巧清单

本清单根据结合国安理会第2375号决定制订。

一、物项、材料、设备、物品和技巧

(一)与大年夜范围息灭性兵器有关的两用物项、材料、设备、货色和技巧

1.环形磁铁(专门用于花费电子产品和汽车用处的除外)

2.热室

3.实用于操作放射性材料时应用的手套箱

4.中子学计算/建模软件

5.辐射输运计算/建模软件

6.流体动力学计算/建模软件(严格用于平易近用目标的除外,例如但不只限于社区供暖举措措施)

7.辐射探测、监测和丈量设备

8.射线探测设备,例如X射线转换器和贮存磷光体成像板(医疗公用的X射线设备除外)

9.用于临盆氟的电解槽

10.粒子加快器

11.持续冷却才能为100 000英热单位/小时(每29.3千瓦)或以上的氟利昂和冷冻水冷却体系

12.淬硬钢和碳化钨周详滚珠轴承(直径3毫米或以上)

13.磷酸三丁酯

14.硝酸(质量浓度≥20%)

15.氟(严格用于平易近用目标的除外,例如制冷剂,包含氟利昂和用于临盆牙膏的氟化物)

16.发射α粒子的放射性核素

17.波纹管密封阀门

18.等静压机

19.波纹管束造设备,包含液压成型设备和波纹管成形冲模

20.金属焊条惰性气体保护焊接机(直流大年夜于180安培)

21.蒙乃尔合金设备,包含阀门、管道、罐和容器(直径大年夜于8英寸、承压可逾越500磅/平方英寸的管道和阀门及容积大年夜于500升的罐)

22.304、316和奥氏体不锈钢板、阀门、管道、罐和容器(直径大年夜于8英寸、承压可逾越500磅/平方英寸的管道和阀门及容积大年夜于500升的罐)

23.专门设计用于构成镍或铝涂层的电镀设备

24.专门设计用于高真空作业的真空阀门、管道、法兰、垫圈和相干设备(真空度为0.1帕或以下)

25.离心多面均衡机

26.可以或许在300-600赫兹频率范围内运转的频率变换器

27.质谱仪

28.一切闪光X光机和相干脉冲电源体系“零件”或“组件”,包含马克思产生器、高功率脉冲成形搜集、高压电容器和触发器

29.分解频率为31.8千兆赫或以上、输入功率为100毫瓦或以上,用于时间延迟生成或时间间隔丈量的以下电子设备:(a) 在1微秒或以上时间间隔下可产生分辨率为50纳秒或以下延时的数字式时间延迟产生器;或(b) 在1微秒或以上时间间隔下可产生分辨率为50纳秒或以下的多道(即有3个或以上通道)或模块化时间间隔仪表和计时设备

30.色谱和光谱分析仪器

31.地动探测设备或入侵式地动探测体系,用于探测、分类和肯定已探知旌旗灯号的来源的方位

32.抗辐射电视摄像机

2、惯例兵器两用品

(一)特种材料和相干设备

体系、设备和部件

1.专为“飞机”或航空航天用处设计、用含氟聚酰亚胺或氟化磷腈弹性体系体例成且含量在50%以上(按重量)的密封件、垫片、密封剂或燃料储箱;

2.由弗成熔性芳喷鼻族聚酰亚胺制成的薄膜、薄板、宽带或窄带材,且具有以下任一特点:

(1)厚度大年夜于0.254mm;或

(2)用碳、石墨、金属或磁性物质涂覆或层压抑成的构造件。

注释:以上种别不实用于镀铜或层压铜且公用于电子印刷电路板临盆的制成品。

3.以下非专为军事用处设计的防护、探测设备及部件:

(1)实用于专门设计或改装用于防护以下物项的全脸式面具、滤毒器、防护服、手套、鞋和探测体系和污染设备:

a.“生物制剂”;

b.“放射性物质”;或

c.化学战(CW)制剂。

4.以下专门设计的装有“动力材料”的电起爆设备和装配:

(1)用于起爆(b)条所述起爆雷管的起爆装配;

(2)以下电起爆雷管:

a.起爆桥(EB);

b.起爆桥线(EBW);

c.冲击片;或

d.爆炸箔起爆器(EFI)。

技巧解释:

1.“起爆雷管”还常常被称为“起爆器”或“燃烧装配”。

2.上述条目所述雷管均应用一个小导电体(桥、桥丝或箔),昔时夜电流电脉冲快速经过过程上述导电体时,使它爆炸而气化。非冲击片型雷管中爆炸的导电体与高爆炸药如太安(季戊四醇四硝酸酯)相接触时会产生化学爆炸。冲击片雷管中,导电体的爆炸蒸气驱动飞片或冲击片穿过间隙,撞击炸药而惹起化学爆炸。某些设计中的冲击片是磁力驱动的。爆炸箔雷管一词可指起爆桥或冲击片型雷管。

5.以下炸药、装配和部件:

(1)“成型炸药”:

a.爆炸品净量(NEQ)大年夜于90g;且

b.外部套管直径大年夜于等于75mm;

(2)线型聚能切割器:

a.爆炸载荷大年夜于40g/m;且

b.宽度大年夜于等于10mm;

(3)爆炸中间载荷大年夜于64g/m的引爆线;

(4)切割机和爆炸品净量大年夜于3.5kg的切割对象,和其他切割对象。

实验、检测和临盆设备

1.以下用于临盆或检测 “复合” 构造或层压构造、或 “纤维或纤丝材料” 的设备,和为其专门设计的部件和配件:

(1)专门设计用于临盆复合伙料飞机机体或导弹构造件,以2个或以上“主伺服定位”轴对牵引缆索的活动加以调和与编程的“铺纤束机”。

2.专门设计用于制造金属合金、金属合金粉末或合金材料以防止污染,且专门设计用于以下任一工艺的设备:

(1)“真空雾化”法;

(2)“气体雾化”法;

(3)“改变电极雾化”法;

(4)“液滴急冷”法;

(5)“熔融态急旋法”和“粉末化”;

(6)“熔融态精华精辟法”和“粉末化”;

(7)“机械合金化”法;或

(8)“等离子雾化”法。

3.为“超塑成形”或“分散焊接”钛、铝及其合金的对象、模具、压模或夹具:

(1)机身或航空航天飞翔器构造件;

(2)“飞机”或航空航天飞翔器发动机;或

(3)为(1)条所述构造或(2)条所述发动机专门设计的部件。

材料

技巧解释:

金属和合金

除非另有规定,“金属”或“合金”涵盖以下原材料或半成品情势:

原材料情势

阳极板、球材、棒材(包含凹面试杆和拉丝锭)、坯、块材、初轧方坯、团块、阴极、晶体、立方体、小片、粒料、颗粒、铸锭、矿块、小球、锭块、粉末、圆粒、弹丸、扁锭、片状毛坯、海绵金属和金属条。

1.以下专门设计用作电磁波接收剂或导电聚合物原料:

(1)基于以下任一聚合物、电导率大年夜于10000 S/m(西门子/米)或“薄层(外面)电阻率”小于100ohms/square的本征导电聚合伙料:

a.聚苯胺;

b.聚吡咯;

c.聚噻吩;

d.聚对苯乙炔;或

e.聚噻吩乙烯。

技巧解释:“电导率”和“薄层(外面)电阻率”应采取ASTM D-257或等效国度标准测定。

2.由一根或多根“超导”“纤丝”构成的“超导”“复合”导体,在温度高于115K(-158.16℃)时保持“超导”状况。

技巧解释:就上述条目而言,“纤丝”可所以线状、柱状、薄膜状、带状或丝带状物体。

3.以下“纤维或纤丝材料”:

(1)具有以下一切特点的无机“纤维或纤丝材料”:

a.“比模量”大年夜于12.7×106m;且

b.“比拉伸强度”大年夜于23.5×104m;

注释:本条不实用于聚乙烯。

(2)具有以下一切特点的碳“纤维或纤丝材料”:

a.“比模量”大年夜于14.65×106m;且

b.“比拉伸强度”大年夜于26.82×104m;

(3)具有以下一切特点的无机“纤维或纤丝材料”:

a.“比模量”大年夜于2.54×106m;且

b.在惰性格况下,熔化、硬化、分化或升华点大年夜于1922K(1649℃)。

软件

1.专为“研制”、“临盆”或“应用”上述设备而设计或改进的“软件”。

2.用于“研制”上述材料的“软件”。

3.经专门“设计”或“改进”后可令不在列管清单的设备具有上述设备功能的“软件”。

技巧

用于“研制”、“临盆”或“应用”上述设备材料或“软件”的“技巧”。

(二)材料加工设备

体系、设备和部件

1.以下耐磨轴承和轴承体系及其部件:

注释:该种别不实用于制造商标注按照ISO 3290第5级或更低级别公差临盆的滚珠。

(1)具有蒙乃尔或铍合金轴承环及转动元件的球轴承和实心滚子轴承,且厂商标注的全部公差达到或优于ISO 492第4级公差(或等效国标);

技巧解释:

①“环”包含一个或多个滚道的径向转动轴承的环形部分(ISO 5593:1997)。

②“转动元件”——在滚道转动的球或滚子(ISO 5593:1997)。

(2)应用以下任一项的磁悬浮轴承体系:

a.磁通密度大年夜于等于2.0T、屈从强度大年夜于414MPa的材料;

b.调理器的全电磁三维单级偏磁设计;或

c.高温(大年夜于等于450K(177℃))地位传感器。

实验、检测和临盆设备

1.根据制造厂的技巧规格,可装备“数控”电子装配,用于去除(或切削)金属、陶瓷或“复合伙料”的下述机床或许其组合:

(1)具有以下任一特点的磨床:

a.可以3轴或3轴以上联动完成“轮廓控制”,1个或多个直线轴的 “单向反复定位精度”小于等于(优于)1.1μm;或

b.可以5轴或5轴以上联动,完成“轮廓控制”;

(2)具有以下一切特点、用于去除金属、陶瓷或“复合伙料”的机床:

a.经过过程以下任一方法去除材料:

(a)水或其他液体放射,包含采取研磨添加剂的射流;

(b)电子束;或

(c)“激光”束;及

b.可以2个或2个以上转轴联动,完成“轮廓控制”。

2.用于选择性材料去除,临盆出具有以下一切特点的非球面光学外面的数控光学精加工机床:

(1)形位误差小于(优于)1.0μm;

(2)外面粗糙度小于(优于)100nm rms;

(3)4轴或4轴以上联动,完成“轮廓控制”;且

(4)采取以下任一工艺:

a.“磁流变精加工技巧(MRF)”;

b.“电流变精加工技巧(ERF)”;

c.“粒子束精加工技巧”;

d.充气膜精加工技巧;或

e.“射流精加工技巧”。

技巧解释:就以上条目而言:

①“磁流变精加工技巧”是一种材料去除工艺,应用的研磨剂是一种由磁场控制其粘度的磁性流体。

②“电流变精加工技巧”是一种材料去除工艺,所应用的研磨剂是一种由电场控制其粘度的液体。

③“粒子束精加工技巧”采取活性原子等离子体(RAP)或离子束停止选择性材料去除。

④“充气膜精加工技巧”是一种经过过程加压膜变形在一个较小的区域内接触工件的过程;

⑤“射流精加工技巧”应用液流去除材料。

3.具有以下一切特点的热“等静压机”及为之专门设计的部件及配件:

(1)封闭型腔中热忱况可控,且内膛内径大年夜于等于406mm;且

(2)具有以下任一特点:

a.最大年夜任务压力大年夜于207MPa;

b.受控热忱况大年夜于1773K(1500℃);或

c.设备可注入烃,并可除去气态降解产品。

4.专门设计用于停止堆积、处理和无机覆盖过程控制、涂层和外面改性的设备:

(1)具有以下一切特点的化学气相堆积(CVD)临盆设备:

a.采取以下任一改进工艺:

(a)脉冲式化学气相堆积;

(b)受控成核热堆积(CNTD);或

(c)等离子体加强或等离子体帮助化学气相堆积;且

b.具有以下任一特点:

(a)采取高真空(小于等于0.01Pa)改变密封;或

(b)采取原位涂层厚度控制;

(2)电子束电流大年夜于等于5mA的离子注入临盆设备;

(3)具有以下任一特点,供电体系额外功率大年夜于80kW的电子束物理气相堆积(EB-PVD)临盆设备:

a.釆用“激光”液位控制体系,精确调剂坯体在池中进给速度;或

b.采取计算机控制的速度监督器,根据蒸发气流中电离原子的光致光照道理,控制含有2种或2种以上元素涂层的堆积速度;

(4)具有以下任一特点的等离子体喷涂临盆设备:

a.喷涂之前,在一个能抽空到0.01Pa的真空室内的减压受控情况中停止操作(喷枪出口上方小于等于300mm的丈量值小于等于10kPa);或

b.采取原位涂层厚度控制;

(5)在堆积速度大年夜于等于15μm/h、电流密度大年夜于等于0.1mA/mm2的溅射堆积临盆设备;

(6)以电磁栅格完成阴极电弧斑点定向控制的阴极电弧堆积临盆设备;

(7) 可对以下任一项停止原位丈量的离子电镀临盆设备:

a.基体上的涂层厚度和速度控制;或

b.光学特点。

5.以下尺寸检测或丈量体系、设备和“电子组件”:

(1) 计算机控制或“数控”坐标丈量机(CMM),按照ISO 10360-2(2009)标准,在机床任务范围(即在坐标轴长度)内,任一点长度丈量(E0,MPE)的三维(空间的)最大年夜许可误差小于等于(优于)1.7+L/1000μm(L为丈量长度,单位为mm);

(2)以下线位移与角位移丈量仪:

a.具有以下任一特点的“线位移”丈量仪:

(a)在0.2mm丈量范围内,分辨率小于等于(优于)

0.2μm的非接触式丈量体系;

(b)具有以下一切特点的线性差动变压器(LVDT)体系:

①具有以下任一特点:

i.“全任务范围”小于(包含)±5mm的线性可变差动变压器,“线性度”在全部任务范围内丈量时小于等于(优于)0.1%;或

ii.“全任务范围”大年夜于±5mm的线性可变差动变压器,“线性度”在0至5mm范围内丈量时小于等于(优于)0.1%;且

②在标准情况实验室,温度变更加±1K的条件下,每天漂移量小于等于(优于)0.1%;

技巧解释:

就上文条目b而言,“全任务范围”是线性可变差动变压器的总直线位移的一半。例如,一个“全任务范围”为±5mm的线性可变差动变压器可以丈量10mm的总线性位移。

(c)具有以下一切特点的丈量体系:

①装有“激光器”;

②满刻度范围内“解析度”小于等于(优于)0.200nm;且

③在20±0.01℃温度条件下测试30s,并停止空气折射率补偿时,可以或许完成丈量范围内任一点的“丈量不肯定性”小于等于(优于)(1.6+L/2000)nm(L为丈量长度,单位为mm);或

(d)专为设计用于上述体系供给反应才能的“电子组件”;

b.角位移丈量仪;

注释:上述条目不实用于采取准直光束(例如,“激光”)检测镜角位移的光学仪器,如主动准直仪。

(3)灵敏度小于等于(优于)0.5nm,经过过程光散射法丈量外面粗糙度(包含外面缺点)的设备。

6.具有以下任一特点的“机械人”和为其专门设计的控制器和“末尾履行器”:

(1)能及时停止全三维成像处理或全三维“气候分析”,并生成或修改“法式榜样”或数控法式榜样数据;

技巧解释:

“气候分析”限制不包含经过过程既定角度检查的第三维近似值,或为辨别核定义务(21/2D)的深度或纹理所作的无限灰度描述。

(2)按照国度安然标准,专门设计实用于潜伏爆炸情况的机械人;

(3)在不降低操作性能的情况下,抗辐射性能逾越5×103Gy(Si);或

(4)特别设计使其可在海拔30000m以上操作。

7.以下专为机床、尺寸考验或丈量体系及设备设计的组件或装配:

(1)整体“精度”小于(优于)(800+(600×L/1000))nm(L为有效长度,单位:mm)的直线地位反应装配;

(2)“精度”小于(优于)0.00025°的反转展转地位反应装配;

(3)能使机床精度进步至或逾越此类所列标准的“复合改变任务台”和“摆动主轴”。

8.根据制造商技巧标准,可装备“数控”单位或计算机控制装配的的旋压成型机和强力旋压成形机,且具有以下一切特点:

(1)具有3个或3个以上的控制轴,可完成联动“轮廓控制”;且

(2)旋轮压力大年夜于60kN。

技巧解释:

同时具有旋压成形和强力旋压成形机床均视为强力旋压成形机床。

软件

1.专为“研制”、“临盆”或“应用”上述设备而设计或改进的“软件”;或

2.经专门“设计”或“改进”后可令不在列管清单的设备具有上述设备功能的“软件”。

技巧

用于“研制”、“临盆”或“应用”上述设备或“软件”的“技巧”。

(三)电子元器件

体系、设备和部件

1.以下电子元器件物项:

(1)以下通用集成电路:

注释1:对曾经肯定功能的的晶圆(成品或半成品),根据(1)条参数评价其状况。

注释2:集成电路包含以下类型:

–“单片集成电路”;

–“混淆集成电路”;

–“多芯片集成电路”;

–“薄膜型集成电路”,包含蓝宝石衬底的硅集成电路;

–“光集成电路”;

–“三维集成电路”;

–“单片微波集成电路”(“MMICs”)。

a.具有以下抗辐射才能之一的集成电路:

(a)总剂量大年夜于等于5×103 Gy(Si);

(b)翻转注量率大年夜于等于5×106 Gy(Si)/s;或

(c)中子注量(中子能量等效于1MeV)大年夜于等于5×1013 n/cm2的硅或其他等效材料;

注释:以上种别不实用于金属绝缘体半导体(MIS)。

b.“微处理器电路”、“微计算电机路”、微控制器电路、化合物半导体系体例成的存储器集成电路、模/数转换器、包含模数转换器和存储处理数据的集成电路、数/模转换器、“旌旗灯号处理”用光电集成电路或“光集成电路”、现场可编程逻辑器件、功能不明的定制集成电路或应用集成电路且状况不明的设备、快速傅立叶变换(FFT)处理器、电擦除可编程只读存储器(EEPROMs)、闪存、静态随机存取存储器(SRAMs)或磁性随机存取存储器(MRAMs),且具有以下任一特点:

(a)额外任务情况温度高于398K(+125℃);

(b)额外任务情况温度低于218K(-55℃);或

(c)额外任务情况温度全体范围在218 K(-55℃)至398 K(+125℃);

注释:该类不实用于平易近用汽车或铁路体系应用的集成电路。

c.用于“旌旗灯号处理”的电光路和“光集成电路”,且具有以下一切特点:

(a)包含的“激光”二极管大年夜于等于1个;

(b)包含的光检测元件大年夜于等于1个;且

(c)光波导;

d.具有以下任一特点的现场可编程逻辑器件:

(a)单端数字输入/输入最大年夜数大年夜于700;或

(b)“累加的单向串口收发器峰值数据率”大年夜于等于500Gb/s;

注释:该种别包含:

–简单可编程逻辑器件(SPLDs);

–复杂可编程逻辑器件(CPLDs);

–现场可编程门阵列(FPGAs);

–现场可编程逻辑阵列(FPLAs);

–现场可编程互连器(FPICs)。

e.神经元搜集集成电路;

f.制造商对其功能不明的定制集成电路,或对应用集成电路的设备状况不明的定制集成电路,且具有以下任一特点:

(a)引脚数大年夜于1500个;

(b)“单门传输延时”的典范值少于0.02ns;或

(c)任务频率大年夜于3GHz;

g.具有以下特点之一的直接数字频率分解器(DDS)集成电路:

(a)数模转换器(DAC)时钟频率大年夜于等于3.5GHz,且其分辨率大年夜于等于10位,小于12位;或

(b)数模转换器时钟频率大年夜于等于1.25GHz,数模转换器分辨率大年夜于等于12位;

技巧解释:

数模转换器时钟频率可用主时钟频率或输入时钟频率表示。

(2)以下微波或毫米波元件:

a.(a)以下脉冲或持续波行波 “真空电子管”:

①任务频率大年夜于31.8GHz的真空电子管;

②所用阴极电热元件从接通至达到额外射频功率的时间小于3s的真空电子管;

③“相对带宽”大年夜于7%,或峰值功率大年夜于2.5kW的耦合谐振腔或其派生装配;

④基于螺旋管、折叠导波管、蛇形波导电路的装配或其派生真空电子管,且具有以下任一特点:

i.“瞬时带宽”大年夜于1个倍频,均匀功率(单位:kW)与频率的乘积(单位:GHz)大年夜于0.5;

ii.“瞬时带宽”小于等于1个倍频,均匀功率(单位:kW)与频率的乘积(单位:GHz)大年夜于1;

iii.“宇航级”;或

iv.装有网状电子枪的装配;

⑤“相对带宽”大年夜于等于10%的装配,且具有以下一切特点的真空电子管:

i.环形电子波束;

ii.非对称电子波束;或

iii.多电子波束;

(b)增益大年夜于17dB的正交场缩小年夜真空电子管;

(c)设计用于“真空电子装配”的热阴极,在额外任务条件下发射电流密度逾越5A/cm2,或在额外任务条件下发射脉冲(非持续性)电流密度逾越10A/cm2;

(d)具有“双形式”运转才能的“真空电子装配”;

技巧解释:

“双形式”是指“真空电子管”的电子束电流可经过过程应用栅控在持续波和脉冲波形式运转下停止转换,并且产生的峰值脉冲输入功率大年夜于持续波输入功率。

b.具有以下特点之一的“微波单片集成电路”(MMIC)缩小年夜器:

(a)额外任务频率大年夜于2.7GHz、小于等于6.8GHz,“相对带宽”大年夜于15%,且具有以下任一特点:

①当频率大年夜于2.7GHz、小于等于2.9GHz,峰值饱和功率输入大年夜于75W(48.75dBm);

②当频率大年夜于2.9GHz、小于等于3.2GHz,峰值饱和功率输入大年夜于55W(47.4dBm);

③当频率大年夜于3.2GHz、小于等于3.7GHz,峰值饱和功率输入大年夜于40W(46dBm);或

④当频率大年夜于3.7GHz、小于等于6.8GHz,峰值饱和功率输入大年夜于20W(43dBm);

(b)额外任务频率大年夜于6.8GHz、小于等于16GHz,“相对带宽”大年夜于10%,且具有以下任一特点:

①当频率大年夜于6.8GHz、小于等于8.5GHz,峰值饱和功率输入大年夜于10W(40dBm);或

②当频率大年夜于8.5GHz、小于等于16GHz,峰值饱和功率输入大年夜于5W(37dBm);

③当频率大年夜于16GHz、小于等于31.8GHz,且额外任务峰值饱和功率输入大年夜于3W(34.77dBm),“相对带宽”大年夜于10%;

④当频率大年夜于31.8GHz、小于等于37GHz,且额外任务峰值饱和功率输入大年夜于0.1nW(-70dBm);

⑤当频率大年夜于37GHz、小于等于43.5GHz,且额外任务峰值饱和功率输入大年夜于1W(30dBm),“相对带宽”大年夜于10%;

⑥当频率大年夜于43.5GHz小于等于75GHz,且额外任务峰值饱和功率输入大年夜于31.62mW(15dBm),“相对带宽”大年夜于10%;或

⑦当频率大年夜于75GHz小于等于90GHz,且额外任务峰值饱和功率输入大年夜于10mW(10dBm),“相对带宽”大年夜于5%;或

⑧当频率大年夜于90GHz,额外任务峰值饱和功率输入大年夜于0.1nW(-70dBm);

注释1:额外任务频率包含多个频率范围内的微波单片集成电路,其状况经过过程最低峰值饱和功率输入阈值肯定。

注释2:本类不实用于专门设计用于其他用处的微波单片集成电路,例如电信、雷达、汽车等。

c.具有以下任一特点的分立微波晶体管:

(a)额外任务频率大年夜于2.7GHz、小于等于6.8GHz,且具有以下任一特点:

①当频率大年夜于2.7GHz、小于等于2.9GHz,峰值饱和功率输入大年夜于400W(56dBm);

②当频率大年夜于2.9GHz、小于等于3.2GHz,峰值饱和功率输入大年夜于205W(53.12dBm);

③当频率大年夜于3.2GHz、小于等于3.7GHz,峰值饱和功率输入大年夜于115W(50.61dBm);或

④当频率大年夜于3.7GHz、小于等于6.8GHz,峰值饱和功率输入大年夜于60W(47.78dBm);

(b)额外任务频率大年夜于6.8GHz、小于等于31.8GHz,且具有以下任一特点:

①当频率大年夜于6.8GHz、小于等于8.5GHz,峰值饱和功率输入大年夜于50W(47dBm);

②当频率大年夜于8.5GHz、小于等于12GHz,峰值饱和功率输入大年夜于15W(41.76dBm);

③当频率大年夜于12GHz、小于等于16GHz,峰值饱和功率输入大年夜于40W(46dBm);或

④当频率大年夜于16GHz、小于等于31.8GHz,峰值饱和功率输入大年夜于7W(38.45dBm);

(c)当频率大年夜于31.8GHz、小于等于37GHz,额外任务峰值饱和功率输入大年夜于0.5W(27dBm);

(d)当频率大年夜于37GHz、小于等于43.5GHz,额外任务峰值饱和功率输入大年夜于1W(30dBm);或

(e)当频率大年夜于43.5GHz,额外任务峰值饱和功率输入大年夜于0.1nW(-70dBm);

注释1:额外任务频率包含跨1个以上所列频段的晶体管,其状况由最低峰值饱和功率输入阈值决定。

注释2:本类包含裸芯片、装置在载体上的芯片或装置在封装上的芯片。有些分立晶体管也可称为功率缩小年夜器。

d.微波固态缩小年夜器和含微波固态缩小年夜器的微波组件/模块,且具有以下任一特点:

(a)额外任务频率大年夜于2.7GHz、小于等于6.8GHz,“相对带宽”大年夜于15%,且具有以下任一特点:

①当频率大年夜于2.7GHz、小于等于2.9GHz,峰值饱和功率输入大年夜于500W(57dBm);

②当频率大年夜于2.9GHz、小于等于3.2GHz,峰值饱和功率输入大年夜于270W(54.3dBm);

③当频率大年夜于3.2GHz、小于等于3.7GHz,峰值饱和功率输入大年夜于200W(53dBm);或

④当频率大年夜于3.7GHz、小于等于6.8GHz,峰值饱和功率输入大年夜于90W(49.54dBm);

(b)额外任务频率大年夜于6.8GHz、小于等于31.8GHz,“相对带宽”大年夜于10%,且具有以下任一特点:

①当频率大年夜于6.8GHz、小于等于8.5GHz,峰值饱和功率输入大年夜于70W(48.54dBm);

②当频率大年夜于8.5GHz、小于等于12GHz,峰值饱和功率输入大年夜于50W(47dBm);

③当频率大年夜于12GHz、小于等于16GHz,峰值饱和功率输入大年夜于30W(44.77dBm);或

④当频率大年夜于16GHz、小于等于31.8GHz,峰值饱和功率输入大年夜于20W(43dBm);

(c)当频率大年夜于31.8GHz、小于等于37GHz,额外任务峰值饱和功率输入大年夜于0.5W(27dBm);

(d)当频率大年夜于37GHz、小于等于43.5GHz,额外任务峰值饱和功率输入大年夜于2W(33dBm),“相对带宽”大年夜于10%;

(e)额外任务频率大年夜于43.5GHz,且具有以下任一特点:

①当频率大年夜于43.5GHz、小于等于75GHz,峰值饱和功率输入大年夜于0.2W(23dBm),且“相对带宽”大年夜于10%;

②当频率大年夜于75GHz、小于等于90GHz,峰值饱和功率输入大年夜于20mW(13dBm),且“相对带宽”大年夜于5%;或

③当频率大年夜于90GHz,峰值饱和功率输入大年夜于0.1nW(-70dBm);

注释: 额外任务频率包含跨1个以上所列频段组件,其状况由最低峰值饱和功率输入阈值决定。

e.电或磁可调谐带通滤波器或带阻滤波用具有5个以上可调谐振器的,其1.5:1波段(fmax/fmin)调谐时间不大年夜于10μs的,且具有以下任一特点:

(a)通带带宽大年夜于中间频率的0.5%;或

(b)阻带带宽小于中间频率的0.5%;

f.变频器与谐波混频器,且具有以下任一特点:

(a)设计用于扩大年夜“旌旗灯号分析仪”频率范围,使其大年夜于90GHz;

(b)设计用于扩大年夜旌旗灯号产生器的任务范围以下:

①大年夜于90GHz;

②大年夜于43.5GHz、小于90GHz频率范围内,输入功率大年夜于100mW(20dBm);

(c)设计用于扩大年夜搜集分析器的任务范围以下:

①大年夜于110GHz;

②大年夜于43.5GHz、小于90GHz频率范围内,输入功率大年夜于31.62mW(15dBm);

③大年夜于90GHz、小于110GHz频率范围内,输入功率大年夜于1mW(0dBm);或

(d)设计用于扩大年夜微波测试接收器的频率范围,使其大年夜于110GHz;

g.含上述“真空电子器件”的微波功率缩小年夜器,且具有以下一切特点:

(a)任务频率大年夜于3GHz;

(b)均匀输入功率与质量比率逾越80W/kg;且

(c)体积小于400cm3;

注释:本条目不实用在“国际电信同盟分派”的无线通信营业频段内任务的设备(但不包含无线电测向设备)。

h.至少由一个行波“真空电子器件”、一个“微波单片集成电路”(“MMIC”)和一个集成电子功率调理器构成的微波功率模块(MPMs),且具有以下一切特点:

(a)从关机到满负荷任务状况的时间小于10s;

(b)体积小于最大年夜额外功率(单位:瓦特)乘以10cm3/W;且

(c)“瞬时宽带”大年夜于1倍频(fmax>2fmin),且具有以下任一特点:

①频率小于等于18GHz;射频输入功率大年夜于100W;或

②频率大年夜于18GHz;

技巧解释:

①上文b条目中的体积可按下述办法计算。例如,最大年夜额外功率为20W,则体积应为20W×10cm3/W=200cm3。

②上文a条目中的开机时间是指从关机状况到满负荷任务所需的时间,即包含了微波功率模块的预热时间。

i.公用于单边相位噪声(单位:dBc/Hz)小于(或优于)-(126 + 20log10F-20log10f)的振荡器或振荡器组件,其频率范围10Hz≤F≤10kHz;

技巧解释:

在上述种别中,F表示任务频率偏移值(单位:Hz),f表示任务频率(单位:MHz)。

j.“频率分解器”“电子组件”的“频率开关时间”“频率分解器”、有“频率开关时间”的“电子组件”,且具有以下任一特点:

(a)小于143ps;

(b)分解频率大年夜于4.8GHz、小于等于31.8GHz,频率变更大年夜于2.2GHz时,小于100μs;

(c)分解频率大年夜于31.8GHz、小于等于37GHz,频率变更逾越550MHz时,小于500μs;

(d)分解频率大年夜于37GHz、小于等于90GHz,频率变更逾越2.2GHz时,小于100μs;或

(e)分解频率大年夜于90GHz时,小于1ms;

k.任务频率大年夜于2.7GHz的“发射/接收模块”,“发射/接收微波单片集成电路”,“发射模块”和“发射型微波单片集成电路”,且具有以下一切特点:

(a)任何通道的峰值饱和功率(单位:W)除以最大年夜任务频率的平方(单位:GHz)大年夜于505.62[Psat>505.62 W*GHz2/fGHz2]。

(b)任何通道的“相对带宽”大年夜于等于5%;

(c)任何平面侧的长度d(单位:cm)除以最小任务频率(单位:GHz)小于等于15[d ≤15cm*GHz*N/fGHz],个中N为发射或发射/接收通道的数量;且

(d)每个通道设备一个电子可变移相器。

技巧解释:

①“发射/接收模块”是一种多功能“电子组件”,其可为旌旗灯号的发射和接收供给双向振幅和相位控制。

②“发射模块”是一种可为旌旗灯号的传输供给振幅和相位控制的“电子组件”。

③“传输/接收微波单片集成电路”是一种多功能的“单片微波集成电路”,其可为旌旗灯号的传输和接收供给双向振幅和相位控制。

④“发射微波单片波集成电路”是一种可为旌旗灯号的发射供给振幅和相位控制的“微波单片集成电路”。

⑤k(c)条公式中最低的任务频率(fGHz)应为2.7GHz,用于向下延长到2.7GHz及以下额外任务范围的发射/传输模块或发射模块[d≤15cm*GHz*N/2.7 GHz。

⑥k条实用于装备或不装备散热器的“发射/接收模块”或“发射模块”。k(c)中d的值不包含作为散热器的“发射/接收模块”或“发射模块”的任一部分。

⑦“发射/接收模块”、“发射模块”、“发射/接收微波单片集成电路”或“发射型微波单片集成电路”可具有或不具有N个集成辐射天线元件,个中N是发射或发射/接收通道的数量。

(3)以下声波器件和为其专门设计的部件:

a.具有以下任一特点的声外面波和掠射(浅表)声波器件:

(a)载波频率大年夜于6GHz;

(b)载波频率大年夜于1GHz、小于等于6GHz,且具有以下任一特点:

①“频率旁瓣克制”逾越65dB;

②最大年夜延时与带宽(时间单位:μs,宽带单位:MHz)的乘积大年夜于100;

③带宽大年夜于250MHz;或

④色散延迟大年夜于10μs;或

(c)载波频率1GHz以下,且具有以下任一特点:

①最大年夜延时带宽(时间单位:μs,宽带单位:MHz)的乘积大年夜于100;

②色散延迟大年夜于10μs;或

③“频率旁瓣克制”逾越65dB,且带宽大年夜于100MHz;

b.许可在逾越6GHz的频率下直接处理旌旗灯号的体(体积)声波器件;

c.经过过程声波(体波或外面波)和光波相互感化,直接处理(包含光谱分析、谱相干或谱卷积)旌旗灯号或图象的声光“旌旗灯号处理”器件;

(4)专门设计在低于至少一种“超导”成分的“临界温度”下运转的电子器件和电路,制造包含“超导”材料,且具有以下任一特点:

a.应用“超导”门停止数字电路电流切换,延时/门(单位:s)与功耗/门(单位:W)乘积小于10-14 J;或

b.应用Q值逾越10000的谐振电路在一切任务频率长停止频选;

(5)以下高能设备:

a.以下“电池”:

(a)“能量密度”在20℃时,大年夜于550Wh/kg的“原电池”;

(b)“能量密度”在20℃时,大年夜于350Wh/kg的“蓄电池”;

技巧解释:

①就“高能设备”而言,“能量密度”(Wh/kg)的计算方法:额外电压乘以额外容量(单位:Ah),再除以电池质量。假设额外容量不明,“能量密度”也可经过过程下述办法计算:额外电压的平方乘以放电时间(单位:h),除以放电负载(单位:Ohms),再除以电池质量(单位:kg)。

②就“高能设备”而言,“电池”是指一种电化学器件,具有正负两极、电解质,并能向外供电。它是蓄电池的根本构建块。

③就“高能设备”而言,“原电池”是指不克不及以任何方法再充电的“电池”。

④就“高能设备”而言,“蓄电池”指可以经过过程外部电源再充电的“电池”。

注释:高能元件不实用于电池组(含单电池的电池组)。

b.以下高储能电容器:

(a)反复率小于10Hz(单稳电容器)且具有以下一切特点的电容器:

①额外电压大年夜于等于5kV;

②能量密度大年夜于等于250J/kg;且

③总能量大年夜于等于25kJ;

(b)反复率大年夜于等于10Hz(反复额外电容器),且具有以下一切特点的电容器:

①额外电压大年夜于等于5kV;

②能量密度大年夜于等于50J/kg;

③总能量大年夜于等于100J;且

④充/放电轮回寿命大年夜于等于10000次;

(c)专门设计在不到1s时间内充斥电或放完电的“超导”电磁体和螺线管,且具有以下一切特点:

注释: 本条目不实用于专门设计用于磁共振成像(MRI)医疗器械的“超导”电磁体和螺线管。

①放电的第1s内释放的能量逾越10kJ;

②超导电磁线圈内径大年夜于250mm;且

③额外的磁感应大年夜于8T或超导电磁线圈的“总电流密度”大年夜于300A/mm2;

(d)“宇航级”太阳能电池、太阳能电池盖片(CIC)、太阳能电池板、太阳能电池阵列,在301K(28℃)、辐照强度1367W/m2(模仿AM0状况)的条件下,最小均匀光电转换效力大年夜于20%;

技巧解释:

“AM0”(即“空气质量零”)是指本地球与太阳之间的间隔为一个地理单位(AU)时,在地球大年夜气层外接收太阳照射的状况。

(6)“精度”小于(优于)等于1.0弧秒的改变输入型相对地位编码器和专门设计的编码器环、盘或秤;

(7)应用电、光或电子辐照控制开关办法的固态脉冲功率切换晶闸管装配和“晶闸管模块”,且具有以下任一特点:

a.最大年夜导通电流上升率(di/dt)大年夜于30000A/μs,断态电压大年夜于1100V;或

b.最大年夜导通上升率(di/dt)大年夜于2000A/μs,且具有以下一切特点:

(a)断态峰值电压大年夜于等于3000V;且

(b)峰值(浪涌)电流大年夜于等于3000A;

注释1:上文(7)条包含:

–硅控整流器(SCRs);

–电触发晶闸管(ETTs);

–光触发晶闸管(LTTs);

–集成门极整流晶闸管(IGCTs);

–栅关断晶闸管(GTOs);

–MOS控制晶闸管(MCTs);

–固态电子。

注释2:  上文(7)条目不实用于平易近用铁路或“平易近用飞机”应用设备的晶闸管装配和“晶闸管模块”。

技巧解释:

就7条而言,“晶闸管模块”包含一个或多个晶闸管装配。

(8)具有以下一切特点的固态功率半导体开关、二极管或“模块”:

a.最大年夜额外任务结温度大年夜于488K(215℃);

b.反复峰值断态电压(阻断电压)大年夜于300V;且

c.直流电流大年夜于1A。

注释:上述断态反复峰值电压包含漏源电压、集电极与射极电压的电压、反向峰值电压和反向阻断峰值电压。

2.以下通用“电子组件”、模块和设备:

(1) 以下记录设备和示波器:

a.具有以下一切特点的数字数据记录器:

(a)磁盘或固态硬盘存储器持续“持续吞吐率”大年夜于6.4Gbit/s;且

(b)在被记录的同时可以停止射频旌旗灯号数据分析的处理器;

技巧解释:

①就具有并行总线构造的记录仪而言,“持续吞吐率”是最高字节数率与字位数的乘积。

②“持续吞吐率”是在保持输入数字数据率分析仪转换率的同时,不损掉任何信息的情况下,仪表可以或许输入到磁盘或固态硬盘存储器的最大年夜速度。

b.及时示波器的垂直均方根(rms)噪声电压低于纵坐标全量程2%,该纵坐标为每信道输入3dB带宽不低于60GHz的情况下,供给最小的噪声值;

(2)以下“旌旗灯号分析仪”:

a.频率范围大年夜于31.8GHz、小于37GHz, 3dB分辨率带宽(RBW)大年夜于10MHz的“旌旗灯号分析仪”;

b.频率范围大年夜于43.5GHz、小于90GHz内,显示均匀噪声电平(DANL)小于(优于)-150dBm/Hz的“旌旗灯号分析仪”;

c.频率范围大年夜于90GHz的“旌旗灯号分析仪”;

d.具有以下一切特点的“旌旗灯号分析仪”:

(a)“及时宽带”大年夜于170MHz;且

(b)具有以下任一特点:

①关于持续时间小于等于15μs的旌旗灯号,由于其间隔或窗口效应,旌旗灯号从满振幅降低到不逾越3dB时的发明概率为100%;或

②关于持续时间为小于等于15μs的旌旗灯号,具有100%的触发(捕获)的“频率掩模触发”的功能;

技巧解释:

①上文①条所述的发明概率也称为拦截概率或捕获概率。

②就上文①条而言,100%发明概率持续时间相当于特定电平丈量不肯定性所需的最短旌旗灯号持续时间。

注释:上述种别不实用于仅应用恒百分比带宽滤波器(也称倍频或分数倍频滤波器)的“旌旗灯号分析仪”。

(3) 具有以下任一特点的旌旗灯号产生器:

a.在频率大年夜于31.8GHz、小于等于37GHz范围内规定产生的脉冲调制旌旗灯号,且具有以下一切特点:

(a)“脉冲持续时间”小于25ns;且

(b)开关率大年夜于等于65dB;

b.在大年夜于43.5GHz、小于90GHz频率范围内,输入功率大年夜于100mW(20dBm);

c.具有以下任一特点的“频率转换时间”:

(a)在频率大年夜于4.8GHz、小于等于31.8GHz,频率变更大年夜于2.2GHz时,“频率转换时间”小于100μs;

(b)在频率大年夜于31.8GHz、小于等于37GHz,频率变更大年夜于550MHz时,“频率转换时间”小于500μs;或

(c)在频率大年夜于37GHz、小于等于90GHz,频率变更大年夜于2.2GHz时,“频率转换时间”小于100μs;

4.具有以下任一特点的搜集分析仪:

a.大年夜于43.5GHz、小于90GHz任务频率范围内,输入功率大年夜于31.62mW(15dBm);

b.大年夜于90GHz、小于110GHz任务频率范围内,输入功率大年夜于1mW(0dBm);

c.大年夜于50GHz、小于110GHz频率的“非线性矢量丈量功能性”;或

技巧解释:

“非线性矢量丈量功能”是指仪器设备具有检测或分析大年夜旌旗灯号域和非线性掉真旌旗灯号的才能。

d.最大年夜任务频率大年夜于110GHz;

(5)具有以下一切特点的微波测试接收机:

a.最高任务频率大年夜于110GHz;且

b.可以或许同时丈量振幅和相位;

(6)具有以下一切特点的原子频率标准:

a.“宇航级”;

b.经久稳定性小于(优于)1×10-11/月的非铷原子;或

c.非“宇航级”,并具有以下一切特点:

(a)标准铷原子;

(b)经久稳定性小于(优于)1×10-11/月;且

(c)总功耗小于1W。

实验、检测和临盆设备

1.以下半导体器件或材料制造设备和为其专门设计的部件和配件:

(1)具有以下任一特点的离子注入机:

a.经过设计和优化,可在束流能量大年夜于等于20keV或束流大年夜于等于10mA时,用于氢、氘、氦注入;

b.具有直接写入才能;

c.在束流能量大年夜于等于65keV、束流大年夜于等于45mA时,用于将高能氧注入加热半导体材料“衬底”;或

d经过设计和优化,可在束流能量大年夜于等于20keV或束流大年夜于等于10mA时,用于将硅注入温度600℃以上半导体材料“衬底”;

(2)以下光刻设备和可以或许产生小于等于45nm尺寸特点的压印光刻设备:

a.应用光学或X射线办法停止晶圆加工的反复(对晶圆停止的直接工序)或步进扫描(扫描仪)对准和暴光设备,且具有以下任一特点:

(a)光源波长小于193nm;或

(b)可以或许产生最小分辨率尺寸”(MRF)小于等于45nm“的图形;

技巧解释

“最小分辨率尺寸”(MRF)经过过程以下公式计算:

MRF=  (暴光光源波长,nm)x(K因子)

数值孔径

(3)a.专门设计采取偏转聚焦电子束、离子束或“激光”束用于掩膜制造的设备;

b.设计用于器件加工的设备,采取直接写入办法。

(4)设计用于集成电路的掩膜和光栅;

2.专门设计用于测试以下成品或半成品半导体器件的设备,和为其专门设计的部件和配件:

(1) 用于在大年夜于31.8GHz频率下测试晶体管器件S参数;

(2) 用于测试上述的微波集成电路。

材料

1.由以下任何堆叠内涵发展多层“衬底”构成的异质内涵材料:

(1)硅(Si);

(2)锗(Ge);

(3)碳化硅(SiC);或

(4)镓或铟“III/V化合物”。

注释:本条不实用于具有1个或1个以上P型内涵层的“衬底”,内涵层包含氮化镓、氮化铟镓、氮化铝镓、氮化铟铝镓、磷化镓、磷化铟镓、磷化铝镓或氮磷化铟铝镓等,且物质元素自在排序,但P型内涵层在N型层之间的情况除外。

2.以下光刻胶材料和涂有以下光刻胶材料的“衬底”:

(1)设计用于以下半导体光刻的光刻胶材料:

a.调剂(优化)在小于245nm、大年夜于15nm波长下应用的正性光刻胶;

b.调剂(优化)在小于15nm、大年夜于1nm波长下应用的光刻胶;

(2)与电子射束或离子射束一路应用,敏感度大年夜于等0.01μc/mm2的一切光刻胶;

(3)为外面成像技巧优化的光刻胶;

(4)设计或优化热工艺或光固工艺可以或许使得压印光刻设备产生小于等于45nm尺寸特点的一切光刻胶。

3.以下无机-无机化合物:

(1)纯度(金属基准)优于99.999%的无机金属铝、镓或铟化合物;

(2)纯度(无机元素基准)优于99.999%的无机砷、无机锑和无机磷化合物。

4.纯度高于99.999%的磷、砷或锑的氢化物,乃至包含在惰性气体或氢中稀释后。

注释: 上条不实用于惰性气体或氢含量大年夜于等于20%氢化物。

5.碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)或氮化铝镓(AlGaN)半导体“衬底”,或锭、球等20℃下电阻率大年夜于10000Ω?cm的材料。

6.第5条所述的“衬底”,至少有一层碳化硅、氮化镓、氮化铝或氮化铝镓内涵层。

软件

1.专门设计用于“研制”、“临盆”或“应用”上述设备的“软件”。

2.经专门“设计”或“改进”后可令不在列管清单的设备具有上述设备功能的“软件”。

技巧

用于“研制”、“临盆”或“应用”上述设备或材料的“技巧”。

(四)传感器和“激光器”

光学传感器

1.以下光学传感器或设备及部件:

(1)以下光学传感器的公用配套部件:

a.“宇航级”制冷器;

b.制冷源温度低于218K(-55℃)的非“宇航级”制冷器:

(a)均匀无毛病时间或均匀毛病间隔时间大年夜于2500小时的闭路轮回制冷器;

(b)(外)孔(外)直径小于8mm焦耳-汤姆生(JT)自调微型冷却器;

c.成分或构造经特别加工,或涂覆改性涂料,对声、热、惯性、电磁或核辐射敏感的传感光纤。

相机

1.以下相机、体系或设备及部件:

(1)以下仪表相机和专门为其设计的部件:

注释:上文所列具有模块构造的仪表相机,应按照制造商解释书,经过过程其应用可用插件后的最大年夜才能停止评价。

a.高速摄影记录相机,且其能应用8mm?16mm各类规格胶片,记录时代胶片被持续推动,帧率大年夜于13150帧/秒;

注释:上条不实用于为平易近用摄影记录相机。

b.胶片不移动的机械高速相机,且其能以1000000帧/秒的速度在35mm胶片上全帧幅记录数据,或以按比例较高的帧频在较低帧幅上记录,或以按比例较低的帧频在较高帧幅上记录;

c.以下机械或电子超高速扫描相机:

(a)记录速度大年夜于10mm/μs的机械或电子快速扫描相机;

(b)瞬时分辨率优于50ns的电子快速扫描相机;

d.记录速度大年夜于每秒1000000帧的电子分帧相机;

e.具有下述一切特点的电子相机:

(a)电子快门速度(门控才能)小于1μs/全帧;且

(b)读出时间许可帧速大年夜于125全帧/秒;

f.具有下述一切特点的插件:

(a)专门设计用于本条所述的、具有模块化构造的仪表相机;且

(b)按照制造商的解释书请求,使这些相机满足上文规定的技巧请求;

(2)以下成像相机:

注释: 上条不实用于专门为电视广播用处设计的摄像机。

a.集成固态传感器,峰值照应在10nm至30000nm波长范围内的视频摄像机,且具有以下一切特点:

(a)具有以下任一特点:

①关于诟谇相机,每个固态阵列包含的“有源像素”大年夜于4×106个;

②关于包含三个固态阵列的黑色相机,每个固态阵列包含的“有源像素”大年夜于4×106个;或

③关于包含一个固态阵列的固态阵列黑色相机,每个固态阵列包含的“有源像素”大年夜于12×106个;且

(b)具有以下任一特点∶

①装有以下所述的光学反射镜;

②装有以下所述的光学控制设备;或

③具有对外部产生的‘相机跟踪数据’注释的功能;

技巧解释:

①关于本条目,应当用捕获移动影象的最大年夜“有源像素数”来对数码相机停止评价。

②关于本条目,“相机跟踪数据”是指相关于地球的相机视野偏向所需的信息。这包含:(a)相机视野相关于地球磁场偏向的程度角度;和(b)相机视野与地球程度线之间的垂直角度。

b.具有下述一切特点的扫描相机和扫描相机体系:

(a)峰值照应在为10nm至30000nm波长范围;

(b)包含8192个以上像元的线性探测器阵列;且

(c)单偏向机械式扫描;

注释:上文不实用于为以下任一种装配专门设计的扫描相机及扫描相机体系:

①工业用或平易近用影印机;

②专门为平易近用固定近间隔扫描应用(如:复制文件、艺术品或相片中的影象或图片)设计的图象扫描仪;

③医疗设备。

c.含具有下述任一特点的图象加强管的成像相机:

(a)具有以下一切特点:

①峰值照应400nm至1050nm波长范围内;

②应用以下任一装配停止电子图象缩小年夜:

孔间距为小于等于12μm的(指中间到中间的间隔)的微通道板;或

专门设计或改进用于在不经过过程微通道板等方法完成“电荷倍增”,且其非二进制像素间距为小于500μm的电子传感装配;且

③以下任一光电阴极:

光敏度大年夜于350μA/lm的多碱光电阴极(例如S-20和S-25);

砷化镓或铟镓砷年光极;或

最大年夜“辐射灵敏度”大年夜于10mA/W的其他“III/V族化合物”半导体光电阴极;

(b)具有以下一切特点:

①峰值照应1050nm至1800nm波长范围内;

②应用以下任一装配停止电子图象缩小年夜:

孔间距为小于等于12μm(指中间到中间的间隔)的微通道板;或

专门设计或改进用于在不经过过程微通道板等方法完成‘电荷倍增’,且其非二进制像素间距为小于500μm的电子传感装配;且

③“III/V族化合物”半导体(如:砷化镓或铟镓砷)光电阴极及转移电子光阳极,其最大年夜“辐射灵敏度”大年夜于15mA/W;

d.含具有下述任一特点的“焦平面阵列”的成像相机:

(a)具有下述一切特点的非“宇航级”“焦平面阵列”:

①具有以下一切特点:

单个像元的峰值照应在900nm至1050nm波长范围内;且

具有以下任一特点:

1.照应“时间常数”小于0.5ns;或

2.专门设计或改进以完成‘电荷倍增’,且其最高“辐射灵敏度”大年夜于10mA/W;

②具有以下一切特点:

单个像元的峰值照应在1050nm至1200nm波长范围内;且

具有以下任一特点:

照应“时间常数”小于等于95ns;或

专门设计或改进以完成‘电荷倍增’,且其最高“辐射灵敏度”大年夜于10mA/W;或

非“宇航级”非线性(二维)“焦平面阵列”,其单个像元的峰值照应在1200nm至30000nm波长范围内;

具有下述一切特点的非“宇航级”线性(一维)“焦平面阵列”:

(1)单个像元的峰值照应在1200nm至3000nm波长范围内;

(2)具有以下任一特点:

a.探测器元件扫描偏向上的标准与垂直扫描偏向上的标准比值小于3.8;或

b.探测器像元处理旌旗灯号;

5.非“宇航级”线性(一维)“焦平面阵列”,其单个元件的峰值照应在3000nm至30000nm波长范围内;

(b)单个像元未经过滤波照应在8000nm至14000nm波长范围内、基于微辐射测热计的非“宇航级”非线性(二维)红外焦平面阵列;

(c)具有下述一切特点的非“宇航级”“焦平面阵列”:

①单个元件的峰值照应在400nm至900nm波长范围内;

②为完成“电荷倍增”而专门设计或改进,并在波长逾越760nm时,最高“辐射灵敏度”大年夜于10mA/W;

③像元逾越32个。

注释1:上文第4条所列的装有“焦平面阵列”成像相机配装,除读取集成电路外,还应带有足够的“旌旗灯号处理”电子元器件。一旦供电,上述旌旗灯号处理电子元器件可确保模仿旌旗灯号或数字旌旗灯号的最小输入;

注释2:第4(1)条不实用为下述任一体系或设备专门设计的配装有线性“焦平面阵列”的成像相机,该相机元件数小于等于12个,元件内不应用延时积分;

①工业用或平易近用侵入警报器、交通监控体系或工业监控或计数体系;

②用于考验或监测楼宇、设备或工业法式榜样内的热流的工业设备;

③用于考验、分类或分析物料性质的工业设备;

④实验室公用设备;或

⑤医疗设备。

注释3:  第4.(2).条不实用于以下任一特点的成像相机:

①最高帧速小于等于9Hz;

②具有下述一切特点:

具有至少10mrad(豪弧度)像素的最小程度或垂直瞬时视场(IFOV);

带有弗成装配的固定焦距镜头;

无“直视”显示;且

技巧解释:

“直视”是指不雅察者应用带有光安然装配的接近人眼的微不雅显示器,直接不雅察红外成像相机捕获的图象。

具有以下任一特点:

1.不具有捕获受探测视场的可视图象的设备;或

2.该相机专为单一用处设计,且用户没法修改其用处;或

技巧解释:

解释3.b.中所述的“瞬时视场”(IFOV)指“程度IFOV”或“垂直IFOV”(二者中以较小数值者为准)。

“程度IFOV”= 程度视场(FOV)/程度探测器元件数量;

“垂直IFOV”= 垂直视场(FOV)/垂直探测器元件数量;

③专门设计装置于平易近用客车,并具有下述一切特点:

车内相机的安顿和设备仅用于协助驾驶人员安然驾驶。

光学器件

1.以下光学设备及部件:

(1)以下光学反射镜(反射器):

a.主动光学孔径大年夜于10mm,且具有以下任一特点的“可变形反射镜”,和为其专门设计的部件:

(a)具有下述一切特点:

①机械共振频率大年夜于等于750Hz;且

②200个以上的驱动器;或

(b)具有以下任一特点的激光毁伤阈值:

①应用“持续波激光器”时逾越1kW/cm2;或

②阈值大年夜于2J/cm2,且反复频率为20Hz时,“激光器”脉冲为20ns;

b.均匀“等效密度”小于30kg/m2,且总重量大年夜于10kg的轻型单片反射镜;

c.均匀“等效密度”小于30kg/m2,且总重量大年夜于2kg的轻型“复合”或泡沫面构造反射镜;

注释: 第b和c条不实用于针对陆地定日镜装配的太阳辐射而专门设计的反射镜。

d.为光束控制镜像台专门设计的反射镜,其平面度为λ/10或更高(λ等于633nm),且具有以下任一特点:

(a)直径或主轴长度大年夜于等于100mm;或

(b)具有下述一切特点:

①直径或主轴长度大年夜于50mm,但小于100mm;且

②激光毁伤阈值具有以下任一特点:

应用“持续波激光器”,大年夜于10kW/cm2;或

应用反复频率为20Hz,脉冲宽度为20ns的“激光器”,大年夜于20J/cm2;

(2) 由硒化锌(ZnSe)或硫化锌(ZnS)制造的光学组件,其传送波长范围为3000nm至25000nm,且具有以下任一特点:

a.体积大年夜于100cm3;或

b.直径或主轴长度大年夜于80mm,厚度(深度)大年夜于20mm;

(3) 以下“宇航级”光学体系的组件:

a.部件的“等效密度”比异样孔径和厚度的实体小20%;

b.具有外面涂层的原基片(单层或多层、金属或电介质、导体、半导体或绝缘体)或许带有保护膜的基片;

c.用于空间光学体系,有效通光孔径大年夜于等于1m的分块反射镜或组件;

d.用“复合”材料制成的组件,其在任何坐标偏向的线性热收缩系数小于等于5×10-6。

激光器

1.以下“激光器”、组件和光学设备:

(1) 具有以下任一特点的非“可调式”持续波(CW)激光器:

a.输入波长小于150nm,且输入功率大年夜于1W;

b.输入波长大年夜于等于150nm,小于等于510nm,且输入功率大年夜于30W;

注释:上文第2条不实用于输入功率小于等于50W的氩“激光器”。

c.输入波长逾越510nm但不逾越540nm,且具有以下任一特点:

(a)单横模输入,且输入功率大年夜于50W;或

(b)多横模输入,且输入功率大年夜于150W;

d.输入波长大年夜于540nm、小于等于800nm,且输入功率大年夜于30W;

e.输入波长大年夜于800nm、小于等于975nm,且具有以下任一特点的输入波长:

(a)单横模输入,且输入功率大年夜于50W;或

(b)多横模输入,且输入功率大年夜于80W;

f.输入波长大年夜于975nm、小于等于1150nm,且具有以下任一特点:

(a)单横模输入,输入功率大年夜于500W;或

(b)具有以下任一特点的多横模输入:

①“插头效力”大年夜于18%,且输入功率大年夜于500W;或

②输入功率大年夜于2kW;

注释1:上文(b)条不实用输入功率大年夜于2kw、小于等于6kw,总质量大年夜于1200kg的工业用多横模“激光器”。就本注释而言,总质量应包含“激光器”运转所需的一切部件,如“激光器”、电源、热交换器等,但不包含用于光束调理和/或传输的光学部件。

注释2:上文(b)条不实用于具有以下任一特点的多横模工业“激光器”:

①输入功率大年夜于500W、但小于等于1kw,且具有下述一切特点:

光束参数积(BPP)大年夜于0.7mm?mrad;且

‘亮度’小于等于1024 W/(mm?mrad)2;

②输入功率大年夜于1kW、但小于等于1.6kW,且BPP大年夜于1.25 mm?mrad;

③输入功率大年夜于1.6kW、但小于等于2.5kW,且BPP大年夜于1.7mm?mrad;

④输入功率大年夜于2.5kW、但小于等于3.3kW,且BPP大年夜于2.5 mm?mrad;

⑤输入功率大年夜于3.3kW、但小于等于4kW,且BPP大年夜于3.5 mm?mrad;

⑥输入功率大年夜于4kW、但小于等于5kW,且BPP大年夜于5 mm?mrad;

⑦输入功率大年夜于5kW、但小于等于6kW,且BPP大年夜于7.2 mm?mrad;

⑧输入功率大年夜于6kW、但小于等于8kW,且BPP大年夜于12mm?mrad;或

⑨输入功率大年夜于8kW、但小于等于10kW,且BPP大年夜于24mm?mrad;

技巧解释:

就解释①ii而言,“亮度”指“激光器”的输入功率除以光束参数积(BPP)的平方,即:(输入功率)/BPP2。

技巧解释:

“插头效力”指“激光器”输入功率(或“均匀输入功率”)与运转“激光器”(包含电源/调制和热控/热交换体系)所需的电输入总功率之比。

(2)具有以下任一特点的“可调式”激光器:

a.输入波长小于600nm,且具有以下任一特点:

(a)输入单脉冲能量大年夜于50mJ,且“峰值功率”大年夜于1W;或

(b)均匀或持续输入功率大年夜于1W;

注释:上文第a条不实用于具有多模输入,且波长大年夜于等于150nm、小于等于600nm,且具有以下一切特点的染料“激光器”或其他液体“激光器”:

①输入单脉冲能量小于1.5J或“峰值功率”小于20W;且

②均匀或持续输入功率低于20W;

b.输入波长大年夜于等于600nm,但小于等于1400nm,且具有以下任一特点:

(a)输入单脉冲能量大年夜于1J,且“峰值功率”大年夜于20W;或

(b)均匀或持续输入功率大年夜于20W;或

c.输入波长大年夜于1400nm,且具有以下任一特点:

(a)输入单脉冲能量大年夜于50mJ,且“峰值功率”大年夜于1W;或

(b)均匀或持续输入功率大年夜于1W;

(3) 以下其他半导体“激光器”:

注释1:  包含带有光输入连接器(如光纤尾纤)的半导体“激光器”。

注释2:  专为其他设备设计的半导体“激光器”,其管束情况取决于其他设备。

a.(a)具有以下任一特点的单个单横模半导体“激光器”:

①波长小于等于1510nm,且均匀或持续输入功率大年夜于1.5W;或

②波长大年夜于1510nm,且均匀或持续输入功率大年夜于500mW;

(b)具有以下任一特点的单个多横模半导体“激光器”:

①波长小于1400nm,且均匀或持续输入功率大年夜于15W;

②波长大年夜于等于1400nm,小于1900nm,且均匀或持续输入功率大年夜于2.5W;或

③波长大年夜于等于1900nm,且均匀或持续输入功率大年夜于1W;

(c)具有以下任一特点的单个半导体“激光器”“巴条”:

①波长小于1400nm,且均匀或持续输入功率大年夜于100W;

②波长大年夜于等于1400nm,小于1900nm,且均匀或持续输入功率大年夜于25W;或

③波长大年夜于等于1900nm,且均匀或持续输入功率大年夜于10W;

(d)具有以下任一特点的半导体“激光器”‘叠阵’(二维阵列):

①波长小于1400nm,且具有以下任一特点:

均匀或持续输入总功率小于3kW,且均匀或持续输入‘功率密度’大年夜于500W/cm2;

均匀或持续输入总功率大年夜于等于3kW、小于等于5kW,且均匀或持续输入‘功率密度’大年夜于350W/cm2;

均匀或持续输入总功率大年夜于5kW;

脉冲峰值 “功率密度”大年夜于2500W/cm2;或注释:第d条不实用于采取内涵的方法制造的单片装配。

空间相干的均匀或持续输入总功率大年夜于150W;

②波长大年夜于等于1400nm,小于1900nm,且具有以下任一特点:

均匀或持续输入总功率大年夜于250W,且均匀或持续输入“功率密度”大年夜于150W/cm2;

均匀或持续输入总功率大年夜于等于250W、小于等于500W,且均匀或持续输入“功率密度”大年夜于50W/cm2;

均匀或持续输入总功率大年夜于500W;

脉冲峰值 “功率密度”大年夜于500W/cm2;或

注释:第d条不实用于采取内涵的方法制造的单片装配。

空间相干的均匀或持续总输入功率大年夜于15W;

③波长大年夜于等于1900nm,且具有以下任一特点:

均匀或持续输入“功率密度”大年夜于50W/cm2;

均匀或持续输入功率大年夜于10W;或

空间相干的均匀或持续输入总功率大年夜于1.5W;或

④至少有一个上述“激光器”“巴条”;

技巧解释:

此类“功率密度”指“激光器”总输入功率除以叠阵的发光面积。

b.以下“化学激光器”:

(a)氟化氢(HF)“激光器”;

(b)氟化氘(DF)“激光器”;

(c)“传能激光器”:

①氧碘(O2-I)“激光器”;

②氟化氘-二氧化碳(DF-CO2)“激光器”;

c.具有以下任一特点的‘脉冲’钕玻璃“激光器”:

(a)“脉冲持续时间”小于等于1μs,且输入单脉冲能量大年夜于50J;或

(b)“脉冲持续时间”大年夜于1μs,且输入单脉冲能量大年夜于100J;

4.以下组件:

a.采取‘主动制冷’或导热管束冷的镜片;

技巧解释:

“主动制冷”是一种用于光学组件的制冷技巧,它应用镜面下方(平日在小于镜面下方1mm处)的液体活动来清除光学组件的热量。

b.为上述所列“激光器”专门设计的镜片、透射或部分透射光学或光电组件,而非熔锥形光纤合束器及多层介质膜光栅(MLD)。

c.光纤“激光器”组件:

(a)具有以下一切特点的多模-多模熔锥型光纤合束器:

①在额外总均匀或持续输入功率(不包含经过过程单模芯(假设有)传输的光纤)逾越1000W的情况下,小于等于0.3dB的拔出消耗;且

②输入光纤数量大年夜于等于3;

(b)具有以下一切特点的单模-多模熔锥型光纤合束器:

①在额外总均匀输入功率或持续输入功率逾越4600W的情况下,小于等于0.5dB的拔出消耗(优于);

②输入光纤数量大年夜于等于3;且

③具有以下任何一个特点:

输入纤维数小于等于5时,输入光束参数积小于等于1.5mm mrad;或

输入光纤数大年夜于5时,输入光束参数积小于等于2.5mm mrad;或

(c)具有以下一切特点的多层介质膜光栅(MLD):

①设计用于5个或5个以上的光纤激光器光谱或相干合束;且

②持续“激光”毁伤阈值(LIDT)大年夜于等于10kW/cm2。

(五)磁场和电场传感器

重力仪

1.重力仪(重力计)和重力梯度仪,以下:

(1)设计或改进用于空中用处,且静态精度小于(优于)10μGal的重力仪;

注释:第a条不实用于空中应用的石英元件重力仪(渥尔登重力仪)。

(2)为移动平台设计,且具有以下一切特点的重力仪

a.静态“精度”小于(优于)0.7mGal;且

b.静态“精度”小于(优于)0.7mGal,且在改正补偿和活动影响的随便任性组合下,稳准时间少于2分钟;

技巧解释:

就第(b)条而言,‘稳准时间’(也叫“重力仪反响时间”)是指减小平台惹起的加快度的搅扰的时间。

c.重力梯度仪。

雷达

1.具有以下任一特点的雷达体系、设备和组件,和为其专门设计的组件:

注释:本节不实用于以下各项:

–二级监督雷达(SSR);

–平易近用汽车雷达;

–用于航空管束(ATC)的显示器或监督器;

–气候(气象)雷达;

–符合国际平易近用航空组织(ICAO)标准及采取电子线性相控(单维)阵列或机械定位无源天线的周详出场着陆雷达(PAR)。

(1)在40~230GHz的频率范围内运转,且具有以下任一特点:

a.均匀输入功率大年夜于100mW;或

b.间隔定位“精度”小于等于(优于)1m,方位角定位精度小于等于(优于)0.2°;

(2) 可调带宽大年夜于“中间任务频率”的±6.25%;

技巧解释:

“中间任务频率”等于所述最高和最低任务频率之和的一半。

(3)能同时在两个以上的载波频率上任务;

(4)可以或许在分解孔径(SAR)、反分解孔径(ISAR)或机载侧视(SLAR)雷达形式下任务;

(5)采取“相控阵天线”;

(6)能丈量非协作式目标的高度;

(7)公用于机载(气球或机架装配),且具有效于侦测移动目标的多普勒“旌旗灯号处理”功能;

(8)采取以下任一技巧对雷达旌旗灯号停止处理:

a.“雷达扩频”技巧;或

b.“雷达频率捷变”技巧;

(9) 公用于空中任务,且最大年夜“测程”大年夜于185km;

注释:上文9条不实用于以下各项:

①渔场监督雷达;

②专门设计用于航空管束的空中雷达,且具有以下一切特点:

其最大年夜“测程”小于等于500km;

只能向一个或多个平易近航空管中间单向传输目标数据;

空管中间不克不及遥控雷达的扫描速度;且

永久性装置;

③气候气球追踪雷达。

(10)具有以下任一特点的“激光器”雷达或激光雷达(LIDAR)设备:

a.“宇航级”;

b.采取相干外差或零差探测技巧,且角分辨率小于(优于)20μrad(微弧度);或

c.为了实施或优化水道丈量,按照国际海道丈量组织(IHO)指令1a海道丈量标准(2008年2月第5版)或更高标准的规定,实施航空滨海水深丈量,且应用一个或多个波长大年夜于400nm,但小于等于600nm的“激光器”;

注释1:仅在第3条中对专门为丈量设计的激光雷达(LIDAR)设备停止了规定。

注释2:上条不实用于专门设计用于气候不雅测的激光雷达(LIDAR)设备。

注释3:国际海道丈量组织(IHO)指令标准1a(2008年2月第5版)内的参数汇总以下:程度精度(可信度为95%) = 5m+5%深度

折算深度的测深精度(可信度为95%) = ± √(a2 +(b*d)2),在公式中:

a=0.5m= 恒定深度误差(即:一切恒定深度误差的总和)

b=0.013= 深度相干误差因子

b*d = 深度相干误差,即:一切深度相干误差的总和

d = 深度

特点探测

=立方特点>2m(深度可达40m);逾越40m时为10%深度。

(11)配有采取“脉冲紧缩”的“旌旗灯号处理”子体系,且具有以下任一特点:

a.“脉冲紧缩”比大年夜于150;或

b.紧缩脉冲宽度小于200ns;或

注释: 上文第2条不实用于具有以下一切特点的二维“帆海雷达”或“船舶交通办事”雷达:

① “脉冲紧缩”比小于等于150;

②紧缩脉冲宽度大年夜于30ns;

③单极式和改变式机械扫描天线;

④峰值输入功率小于等于250W;且

⑤不克不及完成“跳频”。

(12)配稀有据处理子体系,且具有以下任一特点:

a.关于天线的随便任性迁移转变,“主动目标追踪”能鄙人一个天线扫描波束对准目标(扫过)之前猜想目标地位;

注释:上条不实用于空中交通管束体系中的抵触预警才能,或“帆海雷达”。

b.设备目标是为了在6s以内将来自两个或两个以上“不合地区”的雷达传感器的目标数据停止堆叠、校订或融合,以晋升其总性能,使其超出第(f)或(i)条所述的任何单一传感器的性能。

注释:上条不实用于在船舶交通办事中应用的体系、设备及组件。

技巧解释:

①就本节而言,“帆海雷达”指用于海上,内陆水道或近岸情况中安然飞行的雷达。

②就本节而言,“船舶交通办事”指类似于“飞机”空中交通管束的船舶交通监督和管束办事。

(六)实验、检测和临盆设备

光学

1.以下光学设备:

(1)用以丈量相对反射率的设备,其“精度”等于或优于反射值的0.1%;

(2)光学外面散射丈量设备以外的设备,具有大年夜于10cm的有效孔径,公用于非平面光学外面外形(截面)的非接触光学丈量,相对所需截面而言,其“精度”优于2nm。

注释:上条不实用于显微镜。

重力仪

用于临盆、对准和校准静态丈量精度优于0.1mGal的空中重力仪的设备。

雷达

发射脉冲宽度小于等于100ns的脉冲式雷达截面丈量体系,和为其专门设计的部件。

(七)材料

光学传感器

1.以下光学传感器材料:

(1)纯度大年夜于等于99.9995%的元素碲(Te);

(2)具有以下任一特点的单晶体(包含内涵片):

a.推拿尔分数计算,锌含量小于6%的碲化镉锌(CdZnTe);

b.任何纯度的碲化镉(CdTe);或

c.任何纯度的碲镉汞(HgCdTe)。

技巧解释:

“摩尔分数”指为碲化锌的摩尔数与存在于晶体中的碲化镉和碲化锌的摩尔数之和的比率。

光学器件

1.以下光学材料:

(1)用化学气相堆积法临盆的硒化锌(ZnSe)及硫化锌(ZnS)的“基板”,且具有以下任一特点:

a.体积大年夜于100cm3;或

b.直径大年夜于80mm,且厚度大年夜于等于20mm;

(2)以下光电材料与非线性光学材料:

a.钾钛砷钾(KTA)(CAS 59400-80-5);

b.硒镓银(AgGaSe2,亦称为AGSE)(CAS 12002-67-4);

c.硒砷铊(Tl3AsSe3,亦称为TAS)(CAS 16142-89-5);

d.磷化锌锗(ZnGeP2,亦称为ZGP、锌锗磷化物或二磷化锗锌;或

f.硒化镓(GaSe)(CAS 12024-11-2);

(3)由碳化硅或铍混铍(Be/Be)沉淀物构成的“基板”,其直径或主轴长度大年夜于300mm;

(4)具有以下一切特点的玻璃,包含熔融石英、磷酸玻璃、氟氧玻璃、四氟化锆(ZrF4)(CAS 7783-64-4)及四氟化铪(HfF4)(CAS 13709-52-9):

a.氢氧根离子(OH-)浓度小于5ppm;

b.合金纯度小于1ppm;且

c.高均匀度(折射率变更指数)小于5×10-6;

(5)在大年夜于200nm,小于等于14000nm的波长范围内,光接收率小于10-5 cm-1的天然金刚石材料;

激光器

1.“激光”材料,以下:

(1) 未成型的分解晶体“激光”基体材料以下:

a.掺钛蓝宝石;

(2)搀杂稀土金属的双包层光纤:

a.标称“激光”波长为975nm至1150nm,且具有以下一切特点:

(a)均匀纤芯直径大年夜于等于25μm;且

(b)纤芯‘数值孔径’(NA)小于0.065;或

注释:上条不实用于内包层玻璃直径大年夜于150μm,但小于等于300μm的双包层光纤。

b.标称“激光”波长逾越1530nm,且具有以下一切特点:

(a)均匀纤芯直径大年夜于等于20μm;且

(b)纤芯‘数值孔径’(NA)小于0.1。

技巧解释:

①就上条而言,纤芯“数值孔径”(“NA”)是根据光纤的发射波长测定的。

②上文(b)条包含组装了端帽的光纤。

软件

1.为“研制” “临盆”或“应用”上述设备专门设计的“软件”。

2.经专门“设计”或“改进”后可令不在列管清单的设备经具有上述设备功能的“软件”。

技巧

用于“研制”、“临盆”或“应用”上述设备、材料及软件的“技巧”。

(七)导航与航空电子

体系、设备和组件

1.以下“星跟踪器”和部件:

(1)“星跟踪器”,其指定的方位角“精度”小于等于(优于)20弧秒(在设备的指定寿命内)。

(2)以下专为(1)条所述设备而设计的部件:

a.光学镜头或挡板;

b.数据处理装配。

技巧解释:

“星跟踪器”也称为星姿势敏感器或陀螺地理罗盘。

2.具有以下任一特点的全球导航卫星体系(GNSS)接收设备,和为其专门设计的部件:

(1)采取专为当局设计或改进的解密算法来存取地位和时间的测距码;或

(2)采取“自适应天线体系”。

注释: (2)不实用GNSS接收设备,该设备仅应用设计用于滤波、转换或组合来自多个全向天线(未应用自适应天线技巧)的旌旗灯号的部件。

技巧解释:

就(2)而言,“自适应天线体系”可经过过程对旌旗灯号在时域或频域上的处理,在天线阵列偏向图上静态生成一个或多个空间零点。

3.在除4.2GHz至4.4GHz以外的频率下运转的机载高度计,且具有以下任一特点:

(1)“功率管理”;或

(2) 应用相移键控调制。

实验、检测和临盆设备

1.专为上节所述设备而设计的实验、校准或调准设备。

2.以下为表征环“激光”陀螺仪的反光镜特点而专门设计的设备:

(1)散射计具有小于等于(优于)10ppm的丈量“精度”;

(2)轮廓仪具有小于等于(优于)0.5nm(5埃)的丈量“精度”。

3.为“临盆”上文所述设备而专门设计的设备。

注释:包含:

–陀螺仪调谐检测站;

–陀螺仪静态均衡站;

–陀螺仪磨合/电机检测站;

–陀螺仪抽空和填充站;

–用于陀螺仪轴承的离心计心境装配;

–加快计轴线对准站;

–光纤陀螺仪绕线机。

软件

1.为“研制”或“临盆”或“应用”上述设备而专门设计或改进的“软件”。

2.经专门“设计”或“改进”后可令不在列管清单的设备经具有上述设备功能的“软件”。

3.用于操作或维修上述设备的“源代码”。

4.专为“主动飞翔控制体系”、直升机多轴线电传或光传把持飞翔控制器,或直升机轮回控制抗扭矩或轮回控制“偏向控制体系”的“研制”而专门设计的计算机帮助设计(CAD)“软件”

技巧

用于“研制”、“临盆”或“应用”上述设备和软件的“技巧”。

(八)船舶

体系、设备和组件

1.以下船舶体系、设备和部件:

(1)以下专为各类潜水器设计或改进,且任务深度逾越1000m的体系、设备和组件:

a.最大年夜内舱室直径大年夜于1.5m的耐压舱壁或耐压壳体;

b.直流推动电动机或推动器;

c.采取光纤的集束控制电缆及其连接装配,并应用达到复合强度的构件;

d.应用以下材料制造的各类组件;

专为水下应用设计的“复合泡沫塑料”,且具有以下一切特点:

(a)设计下潜深度逾越1000m的海西服备;且

(b)密度小于561kg/m3。

技巧解释:

上条的限制目标在于“复合泡沫塑料”的设计潜水深度逾越1000m且密度小于561kg/m3,不该因其是半成品或处于制造中心环节而被忽视从而许可出口。

(2)关于上述潜水器自立飞行控制而专门设计或改进的体系,该类体系应用导航数据、具有闭环伺服控制,且具有以下任一特点:

a.可以或许使潜水器移动到水体预设点的10m水柱的范围内。

b.可以或许使潜水器保持在水体预设点的10m水柱范围内;或

c.当沿着敷设在海床上或埋设在海床下的电缆飞行时,潜水器的地位可以或许控制在间隔电缆10m范围内;

(3)装有光纤耐压壳体压头;

(4)为水下应用而设计的“机械人”,其可以经过过程公用计算机停止控制,且具有以下任一特点:

a.装有一些可以或许应用各类传感器供给的信息对“机械人”停止控制的体系,这些传感器包含:丈量施加于某个舱外物体上的力或力矩的传感器、测距传感器、或触觉传感器;或

b.可以或许施加250N以上的力或250Nm以上的力矩,且其构造性构件应用钛基合金或“复合”“纤维或纤丝材料”;

(5) a. 具有以下一切特点,且采取“斯特林”轮回发动机的不依附空气动力体系:

(a)专为降低10kHz以下噪音设计的设备或附件,或为减震装置的特别设备;且

(b)专门设计的可在100kPa或更高的压力下排放熄灭产品的排气体系;

(6)a.为以下排水量为1000吨或1000吨以上的船舶设计的降噪体系:

(a)用于降低频率低于500Hz的水下噪音,且装有复合伙料吸声底座,以隔断柴油发动机、柴油发电机组、燃气轮机、燃气轮机发电机组、推动电动机或推动用加速齿轮装配收回的噪音,特别是为隔断噪音或振动而设计,并装有中心质块(其质量逾越设备质量的30%)的降噪体系;

(b)专为动力传动体系而设计的“主动降噪或消音体系”或磁力轴承;

技巧解释:

“主动降噪或消音体系”中包含各类可以直接针对噪音源或振动源制造反向噪音或反向旌旗灯号以主动降低设备振动的电子控制体系。

(九)航空航天和推动

体系、设备和部件

1.航空燃气涡轮发动机:

(1)采取标题为“技巧”的下节第二段所述任一项“技巧”,或

注释1:本条不实用于满足以下一切请求的航空燃气涡轮发动机:

①已取得平易近用航空主管部分的认证;且

②专门为非军用载人“航空器”供给动力的发动机,平易近用航空主管部分曾经为这些应用此类特定发动机的“航空器”签发了以下任一文件:

平易近用型号的合格证;或

国际平易近用航空组织(ICAO)承认的等效文件。

注释2: 本条不实用于为已取得成员公平易近航主管部分赞成的帮助动力装配(APU)设计的航空燃气涡轮发动机。

(2)设计用于为巡航速度1马赫(含)以上,续航时间在30分钟以上的“航空器”供给动力。

2.根据国际标准化组织的标准,持续输入功率大年夜于等于24245kW,且在35%-100%的功率范围内,耗油率不大年夜于0.219kg/kWh的“船用燃气涡轮发动机”,和为其专门设计的组件和部件。

注释:术语“船用燃气涡轮发动机”包含那些工业或航空发动机改型、并用于船上发电或推动的燃气涡轮发动机。

3.采取下文标题为“技巧”的一节第2段所述的任一项“技巧”,为以下任一航空燃气涡轮发动机专门设计的零部件:

(1)符合上述第1条规定;或

(2)其设计或临盆源于未知制造商。

4.以下航天运载火箭、“航天器”、“航天器平台”、“航天器有效载荷”、“航天器”的星载体系或设备和空中设备:

(1)航天运载火箭;

(2)“航天器”;

(3)“航天器平台”;

(4)“航天器有效载荷”包含该清单所述的一切物项;

(5)专为“航天器”设计的,且具有以下任一功能的星载体系或设备:

a.“指令与遥测数据处理”;

(6) 以下专为“航天器”设计的空中设备:

a.遥测和遥控设备;

b.模仿器。

5.液体火箭推动体系。

6.以下专为液体火箭推动体系设计的体系和部件:

(1)专为空间运载对象设计的高温制冷机、飞翔重量杜瓦瓶、高温热管或高温体系,其可将高温液体年损掉限制在30%的范围内;

(2)能为持续飞翔速度大年夜于3马赫的“航空器”、运载火箭或“航天器”供给100K(-173℃)或更高温度的高温容器或闭路轮回制冷体系;

(3)氢浆贮存或保送体系;

(4)高压(大年夜于17.5MPa)涡轮泵、泵部件或与之接洽关系的燃气产生器或收缩轮回涡轮驱动体系;

(5)与其配套的高压(大年夜于10.6MPa)推力室及喷嘴;

(6)采取毛细管理或正压保送道理(即:带有弹性囊状物)的推动剂存贮体系;

(7)专为液体火箭发动机设计的,且单孔直径小于等于0.381mm(非圆形孔的面积小于等于1.14×10-3cm2)的液体推动剂喷注器;

(8)密度大年夜于1.4g/cm3且抗拉强度大年夜于48MPa的全体式碳–碳推力室或碳-碳出口锥。

7.固体火箭推动体系。

8.以下专为固体火箭推动体系设计的部件:

(1)应用内衬为固体推动剂和外壳绝缘材料之间供给“稳定的力学粘连”或阻拦其化学迁徙的绝缘和推动剂粘结体系;

(2)直径大年夜于0.61m或“构造效力比(PV/W)”大年夜于25km的纤维环绕纠缠“复合伙料”发动机壳体;

技巧解释:

“构造效力比(PV/W)”为爆裂压力(P)乘以容器体积(V)除以压力容器的总重量(W)的比值。

(3)推力级大年夜于45kN或喉部烧蚀速度小于0.075mm/s的喷管;

(4)具有以下任一才能的摆喷管或二次液体喷注推力矢量控制体系:

a.全轴向摆动幅度大年夜于±5°;

b.角矢量改变速度大年夜于等于20°/s;或

c.角矢量加快度大年夜于等于40°/s2。

9.混淆式火箭推动体系:

10.以下专为运载火箭、运载火箭推动体系或“航天器”设计的部件、体系和构造:

(1)专门设计用以下任一材料制造运载火箭的部件或构造:

a.纤维或纤丝材料;

b.金属“基体”“复合伙料”;或

c.陶瓷“基体”“复合”材料;

11.以下“无人机”(“UAV”)、无人驾驶“飞艇”,相干的设备和部件:

(1)设计用于可在“操作员”直接“天然视觉”范围外受控飞翔,且具有以下特点之一的“无人机”或无人驾驶“飞艇”:

a.具有以下一切特点:

(a)最大年夜“续航时间”大年夜于等于30分钟,小于1小时;且

(b)在风力大年夜于等于46.3km/h(25节)时,具有起飞和稳定可控飞翔才能;或

b.最大年夜“续航时间”大年夜于等于1小时;

技巧解释:

①就上条而言,“操作员”指的是开动或指示“无人机”或无人驾驶“飞艇”飞翔的人员。

②就上条而言,“续航时间”可在无风情况中的海平面高度上的国际标准大年夜气压(ISO 2533:1975)条件下计算。

③就上条而言,“天然视觉”指的是人在佩带或未佩带目力改正镜片时的裸眼目力。

(2)以下相干设备和部件:

a.为把有人驾驶“飞机”或有人驾驶“飞艇”改装为第(a)条所述的“无人机”或无人驾驶“飞艇”而专门设计的设备或部件;

b.为在15240m(50000英尺)的空中推动“无人机”或无人驾驶“飞艇”而专门设计或改进的吸气式活塞发动机或转子内燃发动机。

实验、检测和临盆设备

1.专为“研制”燃气涡轮发动机及其零部件而设计、且采取 “技巧”一节2(b)或2(c)所述的任何“技巧”的在线(及时)控制体系、仪器仪表(包含传感器)或主动数据收集和处理设备。

2.专为“临盆”或测试当叶尖速度大年夜于335m/s、任务温度高于773K(500℃)的燃气涡轮发动机刷式封严装配而设计的设备,和为其专门设计的部件或配件。

3.下述燃气涡轮机“技巧”一节第二段所述的将“高温合金”、钛合金或金属间化合物叶片固定连接至盘组合件的对象、模具或夹具。

4.专门为速度大年夜于等于1.2马赫的风洞而设计的在线(及时)控制体系、仪器仪表(包含传感器)或主动数据收集和处理设备。

5.当实验舱温度大年夜于1273K(1000℃)时,产生大年夜于等于160dB(相关于20μPa)的声压级,且额外输入功率大年夜于等于4kW的声振实验设备,和为其专门设计的石英加热器。

6.为用于检测火箭发动机的完全性而专门设计的设备,应用除平面X射线或根本物理或化学分析以外的无损检测(NDT)技巧。

7.专为在气流总温(滞止温度)大年夜于833K(560℃)时,可直接丈量侧壁外面磨擦力而设计的传感器。

8.具有以下一切特点的用于制造涡轮发动机粉末冶金转子部件的模具:

(1)能在应力值大年夜于等于极限拉伸强度(UTS)的60%、且金属温度大年夜于等于873K(600℃)的条件下应用;和

(2)设计任务温度大年夜于等于873K(600℃)。

注释: 上条不实用于临盆粉末的模具。

9.专为临盆“无人机”(“UAV”)、无人驾驶“飞艇”,和相干部件而设计的设备。

软件

1.为“研制”、“临盆”或“应用”上述设备专门设计或改进的“软件”。

2.经专门“设计”或“改进”后可令不在列管清单的设备具有上述设备功能的“软件”。

技巧

1.用于 “研制”、“临盆”或“应用”上述设备及软件的“技巧”。

2.以下其他“技巧”:

(1)“研制”或“临盆”以下随便任性一种燃气涡轮发动机部件或体系的“所需”“技巧”;

a.由定向凝结(DS)或单晶(SC)合金制成的,且在1273K(1、000℃)及200MPa应力条件下的应力断裂寿命(在001密勒指数偏向)逾越400小时(基于性能目标均匀值)的燃气涡轮叶片、导向叶片或“涡轮罩环”;

b.具有以下特点之一的熄灭室:

(a)设计用于在“熄灭室出口温度”大年夜于1883K(1610℃)下应用的热去耦火焰筒;

(b)非金属火焰筒;

(c)非金属壳体;或

(d)设计用于在“熄灭室出口温度”大年夜于1883K(1610℃)下应用的,且满足c规定的参数的打孔火焰筒;

c.由以下任一材料制造的部件:

(a)设计用于在温度大年夜于588K(315℃)下应用的无机“复合”材料;

(b)由以下任一材料制成的:

①金属“基体”“复合伙料”:

②陶瓷“基体”“复合伙料”;或

(c)具有以下一切特点的静子叶片、导流叶片、动叶、叶尖密封装配(罩环)、改变全体叶环、改变全体叶盘或“分流器管路”:

①前文中未作规定的;

②设计用于压气机或电扇的;且

③由“纤维或纤丝材料”和树脂制造的;

④设计用于在气路温度大年夜于等于1373K(1100℃)下应用的非冷却的涡轮叶片、导向叶片或“涡轮罩环”;

⑤可在气路温度大年夜于等于1693K(1420℃)下应用的冷却涡轮叶片、导向叶片或“涡轮罩环”;

⑥采取固态连接的叶片和盘组合件;

⑦采取“分散连接”“技巧”制成的燃气涡轮发动机部件;

⑧采取粉末冶金材料制成的“毁伤容限型”燃气涡轮发动机转子部件;或

⑨空心电扇叶片;

(2)以下用于燃气涡轮发动机“全权限数字式发动机控制体系”的“技巧”:

a.“研制”由“全权限数字式发动机控制体系”调理发动机推力或轴功率所需部件的功能请求(例如:反应传感器时间常数和精确度、燃油阀转换速度等)的“技巧”;

b.“研制”或“临盆”由“全权限数字式发动机控制体系”调理发动机推力或轴功率的特有控制和诊断部件的“技巧”;

c.“研制”由“全权数字电子/发动机控制体系”调理发动机推力或轴功率的特有控制律算法(包含“源代码”)的“技巧”;

注释: 上文b条不实用于与发动机–“飞机”集成有关的技巧数据,一个或多个参与国的平易近用航空主管部分在发布通用航空体系应用(例如:装置手册、操作规程、持续适航文件等)或接口功能(例如:输入/输入处理、机身推力或轴功率请求等)时须要此类数据。

(3)以下专为燃气产生器涡轮、电扇或动力涡轮、或推力喷管设计的,用于保持发动机稳定性的可调流道体系的“技巧”:

a.“研制”确保保持发动机稳定性部件功能请求的“技巧”;

b.“研制”或“临盆”确保保持发动机稳定性的可调流道体系特有部件的“技巧”;

c.“研制”用于保持发动机稳定性的可调流道体系特有控制律算法(包含“源代码”)的“技巧”。